TK25E06K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
TK25E06K3,S1X(S.pdf

Możemy dostarczyć TK25E06K3,S1X(S, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby zażądać kodu TK25E06K3,S1X(S i czasu dostawy. Zeano jest profesjonalnym dystrybutorem komponentów elektronicznych. Z ponad 3-milionowymi liniami dostępnych elementów elektronicznych można wysyłać w krótkim czasie, ponad 250 tysięcy części numerów części elektronicznych w magazynie do natychmiastowej dostawy, które mogą zawierać numer części TK25E06K3,S1X(S. Cena i czas realizacji dla TK25E06K3,S1X(S w zależności od ilości wymagane i magazyn location.contact nas i nasz przedstawiciel handlowy zapewnią ci cenę. Czekamy na współpracę z Tobą.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

VGS (th) (Max) @ Id:	-
Technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:	TO-220-3
Seria:	U-MOSIV
RDS (Max) @ ID, Vgs:	18 mOhm @ 12.5A, 10V
Strata mocy (max):	-
Opakowania:	Tube
Package / Case:	TO-220-3
temperatura robocza:	150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Through Hole
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:	-
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:	29nC @ 10V
Rodzaj FET:	N-Channel
Cecha FET:	-
Spust do źródła napięcia (Vdss):	60V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:	25A