APT32M80J

Microsemi
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
1.APT32M80J.pdf 2.APT32M80J.pdf

część # APT32M80J jest dostępna, patrz opis APT32M80J jak poniżej.
użyj formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę APT32M80J i czas realizacji.
Kup komponenty elektroniczne w zeanoit.com. Jesteśmy niezależnym dystrybutorem komponentów elektronicznych z bogatym asortymentem w magazynie.
Cena i czas realizacji APT32M80J zależą od wymaganej ilości, dostępności i lokalizacji magazynu. Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz zespół sprzedaży wkrótce prześle Ci ofertę.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

VGS (th) (Max) @ Id:	5V @ 2.5mA
Technologia:	MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:	ISOTOP®
Seria:	POWER MOS 8™
RDS (Max) @ ID, Vgs:	190 mOhm @ 24A, 10V
Strata mocy (max):	543W (Tc)
Opakowania:	Tube
Package / Case:	SOT-227-4, miniBLOC
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Chassis Mount
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:	9326pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:	303nC @ 10V
Rodzaj FET:	N-Channel
Cecha FET:	-
Spust do źródła napięcia (Vdss):	800V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:	33A