| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA |
|---|---|
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | E-Line (TO-92 compatible) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 10 Ohm @ 250mA, 10V |
| Strata mocy (max): | 700mW (Ta) |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | E-Line-3 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 85pF @ 25V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | - |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| Cecha FET: | - |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 200V |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 180mA (Ta) |
ZVN2120ASTZ
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
ZVN2110GTC
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
ZVN2110GTA
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
ZVN2120A
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
ZVN2110ASTZ
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
ZVN2120GTC
MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223
ZVN2110G
ZVN2120G
ZVN2120ASTOB
MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3
ZVN2120GTA
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
NP062AN00A
TRANS 2NPN PREBIAS SSSMINI6
SUD23N06-31-GE3
MOSFET N-CH 60V 21.4A TO-252
AUIRLR3410TR
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
ATS-14B-168-C1-R0
HEATSINK 25X25X25MM R-TAB
ATS-03D-61-C1-R0
HEATSINK 40X40X10MM L-TAB
ATS-04B-44-C3-R0
HEATSINK 25X25X15MM L-TAB T412
ATS-09F-82-C1-R0
HEATSINK 30X30X25MM R-TAB
ATS-01D-49-C2-R0
HEATSINK 30X30X10MM L-TAB T766
ATS-10B-179-C1-R0
HEATSINK 35X35X30MM R-TAB
ATS-21B-119-C3-R0
HEATSINK 45X45X20MM XCUT T412
