DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
DMN2010UDZ-7.pdf

1. Potwierdź szczegóły, które zawierają nr części i producenta produktów podczas składania zamówienia.
2. Jeśli masz listę zestawień materiałowych (BOM), musisz zacytować. Możesz wysłać na nasz e-mail.
3. Możesz wysłać do nas e-mail, aby zmienić szczegóły zamówienia przed wysyłką.
4. Zamówienia nie mogą być anulowane po wysłaniu paczek.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
3000	$0.383
6000	$0.356

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

VGS (th) (Max) @ Id:	1.5V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:	U-DFN2535-6
Seria:	-
RDS (Max) @ ID, Vgs:	7 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Moc - Max:	700mW
Opakowania:	Tape & Reel (TR)
Package / Case:	6-UDFN Exposed Pad
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Surface Mount
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:	2665pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:	33.2nC @ 4.5V
Rodzaj FET:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Cecha FET:	Standard
Spust do źródła napięcia (Vdss):	24V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:	11A