SI1988DH-T1-E3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
SI1988DH-T1-E3.pdf

część nr SI1988DH-T1-E3 Czy jest to część często używana? : Tak
Wysyłka z: magazynu HK lub Singapuru
Ten sam model może mieć wiele partii, obrazów tylko w celach informacyjnych.
Modele ECAD: skontaktuj się z nami, aby uzyskać
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

VGS (th) (Max) @ Id:	1V @ 250µA
Dostawca urządzeń Pakiet:	SC-70-6 (SOT-363)
Seria:	TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:	168 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Moc - Max:	1.25W
Opakowania:	Tape & Reel (TR)
Package / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Surface Mount
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:	110pF @ 10V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:	4.1nC @ 8V
Rodzaj FET:	2 N-Channel (Dual)
Cecha FET:	Logic Level Gate
Spust do źródła napięcia (Vdss):	20V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:	1.3A

Jeśli masz niewłaściwe kompozycje, które nie są zamówione. Zbadamy, kto przyjmie odpowiedzi na ten problem.

Jeśli jest to nasze, dostarczymy odpowiednie kompozycje dla towarów wymiany po otrzymaniu błędnych komputerów odesłanych.

Jeśli jest to twoje, klient przyjmie odpowiedzi na to. W przypadku szczegółów prosimy o kontakt z naszą obsługą klienta lub sprzedaży.

SI1988DH-T1-E3

Request Quote

Proces zakupów

Produkty powiązane

Zgadnij, może szukasz