TC58BYG2S0HBAI6

Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Układy scalone
TC58BYG2S0HBAI6.pdf

Możemy dostarczyć TC58BYG2S0HBAI6, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby zażądać kodu TC58BYG2S0HBAI6 i czasu dostawy. Zeano jest profesjonalnym dystrybutorem komponentów elektronicznych. Z ponad 3-milionowymi liniami dostępnych elementów elektronicznych można wysyłać w krótkim czasie, ponad 250 tysięcy części numerów części elektronicznych w magazynie do natychmiastowej dostawy, które mogą zawierać numer części TC58BYG2S0HBAI6. Cena i czas realizacji dla TC58BYG2S0HBAI6 w zależności od ilości wymagane i magazyn location.contact nas i nasz przedstawiciel handlowy zapewnią ci cenę. Czekamy na współpracę z Tobą.

Request Quote

In Stock~~424 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
1	$4.06
10	$3.686
25	$3.606
50	$3.586
100	$3.216
250	$3.204

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - Dostawa:	1.7 V ~ 1.95 V
Dostawca urządzeń Pakiet:	67-VFBGA (6.5x8)
Prędkość:	25ns
Seria:	Benand™
Opakowania:	Tray
Package / Case:	67-VFBGA
temperatura robocza:	-40°C ~ 85°C (TA)
Typ pamięci:	Non-Volatile
Rozmiar pamięci:	4Gb (512M x 8)
Format pamięci:	EEPROM
Berło:	Parallel