RN2902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
RN2902FE,LF(CT.pdf

1. Potwierdź szczegóły, które zawierają nr części i producenta produktów podczas składania zamówienia.
2. Jeśli masz listę zestawień materiałowych (BOM), musisz zacytować. Możesz wysłać na nasz e-mail.
3. Możesz wysłać do nas e-mail, aby zmienić szczegóły zamówienia przed wysyłką.
4. Zamówienia nie mogą być anulowane po wysłaniu paczek.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
4000	$0.048
8000	$0.042
12000	$0.036
28000	$0.034
65535	$0.027

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - kolektor emiter (Max):	50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC:	300mV @ 250µA, 5mA
Typ tranzystora:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet:	ES6
Seria:	-
Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm):	10k
Opornik - Baza (R1) (Ohm):	10k
Moc - Max:	200mW
Opakowania:	Tape & Reel (TR)
Package / Case:	SOT-563, SOT-666
Rodzaj mocowania:	Surface Mount
Częstotliwość - Transition:	200MHz
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce:	50 @ 10mA, 5V
Obecny - Collector odcięcia (Max):	500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks):	100mA