APTC60AM83BC1G

Microsemi
MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
APTC60AM83BC1G.pdf

część # APTC60AM83BC1G jest dostępna, patrz opis APTC60AM83BC1G jak poniżej.
użyj formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę APTC60AM83BC1G i czas realizacji.
Kup komponenty elektroniczne w zeanoit.com. Jesteśmy niezależnym dystrybutorem komponentów elektronicznych z bogatym asortymentem w magazynie.
Cena i czas realizacji APTC60AM83BC1G zależą od wymaganej ilości, dostępności i lokalizacji magazynu. Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz zespół sprzedaży wkrótce prześle Ci ofertę.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

VGS (th) (Max) @ Id:	5V @ 3mA
Dostawca urządzeń Pakiet:	SP1
Seria:	CoolMOS™
RDS (Max) @ ID, Vgs:	83 mOhm @ 24.5A, 10V
Moc - Max:	250W
Opakowania:	Tray
Package / Case:	SP1
temperatura robocza:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Chassis Mount
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:	7200pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:	250nC @ 10V
Rodzaj FET:	3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)
Cecha FET:	Super Junction
Spust do źródła napięcia (Vdss):	600V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:	36A