Poproś o wycenę

APT75GP120B2G

Microsemi
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
1.APT75GP120B2G.pdf 2.APT75GP120B2G.pdf

Obrazy są tylko w celach informacyjnych.
Szczegółowe informacje o produkcie znajdują się w specyfikacji produktu.
Jeśli jesteś zainteresowany zakupem APT75GP120B2G, napisz do nas.
Sales@zeanoit.com
nasz zespół sprzedaży odpowie Ci w ciągu 24 godzin

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
1	$25.86
10	$23.917
25	$21.978
100	$20.426
250	$18.746
500	$17.841

Proces zakupów

1Confirm the product
2submit the order
3payment
4wait for delivery
5receive the goods

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - kolektor emiter (Max):	1200V
Vce (on) (Max) @ VGE, IC:	3.9V @ 15V, 75A
Stan testu:	600V, 75A, 5 Ohm, 15V
Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C:	20ns/163ns
Przełączanie Energy:	1620µJ (on), 2500µJ (off)
Seria:	POWER MOS 7®
Moc - Max:	1042W
Opakowania:	Tube
Package / Case:	TO-247-3 Variant
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Through Hole
Typ wejścia:	Standard
Rodzaj IGBT:	PT
brama Charge:	320nC
Obecny - Collector impulsowe (ICM):	300A
Obecny - Collector (Ic) (maks):	100A

Jeśli masz niewłaściwe kompozycje, które nie są zamówione. Zbadamy, kto przyjmie odpowiedzi na ten problem.

Jeśli jest to nasze, dostarczymy odpowiednie kompozycje dla towarów wymiany po otrzymaniu błędnych komputerów odesłanych.

Jeśli jest to twoje, klient przyjmie odpowiedzi na to. W przypadku szczegółów prosimy o kontakt z naszą obsługą klienta lub sprzedaży.