APT65GP60B2G

Microsemi
IGBT 600V 100A 833W TMAX
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
APT65GP60B2G.pdf

część # APT65GP60B2G jest dostępna, patrz opis APT65GP60B2G jak poniżej.
użyj formularza zapytania ofertowego, aby poprosić o cenę APT65GP60B2G i czas realizacji.
Kup komponenty elektroniczne w zeanoit.com. Jesteśmy niezależnym dystrybutorem komponentów elektronicznych z bogatym asortymentem w magazynie.
Cena i czas realizacji APT65GP60B2G zależą od wymaganej ilości, dostępności i lokalizacji magazynu. Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz zespół sprzedaży wkrótce prześle Ci ofertę.
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

In Stock~~119 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
1	$20.18
10	$18.342
25	$16.966
100	$15.59
250	$14.215
500	$13.298

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - kolektor emiter (Max):	600V
Vce (on) (Max) @ VGE, IC:	2.7V @ 15V, 65A
Stan testu:	400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C:	30ns/91ns
Przełączanie Energy:	605µJ (on), 896µJ (off)
Seria:	POWER MOS 7®
Moc - Max:	833W
Opakowania:	Tube
Package / Case:	TO-247-3 Variant
temperatura robocza:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Through Hole
Typ wejścia:	Standard
Rodzaj IGBT:	PT
brama Charge:	210nC
Obecny - Collector impulsowe (ICM):	250A
Obecny - Collector (Ic) (maks):	100A