RGT30NS65DGTL

LAPIS Semiconductor
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
RGT30NS65DGTL.pdf

Możemy dostarczyć RGT30NS65DGTL, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby zażądać kodu RGT30NS65DGTL i czasu dostawy. Zeano jest profesjonalnym dystrybutorem komponentów elektronicznych. Z ponad 3-milionowymi liniami dostępnych elementów elektronicznych można wysyłać w krótkim czasie, ponad 250 tysięcy części numerów części elektronicznych w magazynie do natychmiastowej dostawy, które mogą zawierać numer części RGT30NS65DGTL. Cena i czas realizacji dla RGT30NS65DGTL w zależności od ilości wymagane i magazyn location.contact nas i nasz przedstawiciel handlowy zapewnią ci cenę. Czekamy na współpracę z Tobą.

Request Quote

In Stock~~874 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
1	$2.10
10	$1.893
25	$1.69
100	$1.521
250	$1.352
500	$1.183

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - kolektor emiter (Max):	650V
Vce (on) (Max) @ VGE, IC:	2.1V @ 15V, 15A
Stan testu:	400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C:	18ns/64ns
Przełączanie Energy:	-
Dostawca urządzeń Pakiet:	LPDS (TO-263S)
Seria:	-
Odwrócona Recovery Time (TRR):	55ns
Moc - Max:	133W
Opakowania:	Original-Reel®
Package / Case:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura robocza:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania:	Surface Mount
Typ wejścia:	Standard
Rodzaj IGBT:	Trench Field Stop
brama Charge:	32nC
Obecny - Collector impulsowe (ICM):	45A
Obecny - Collector (Ic) (maks):	30A