Poproś o wycenę

IRF7706

1. Potwierdź szczegóły, które zawierają nr części i producenta produktów podczas składania zamówienia.
2. Jeśli masz listę zestawień materiałowych (BOM), musisz zacytować. Możesz wysłać na nasz e-mail.
3. Możesz wysłać do nas e-mail, aby zmienić szczegóły zamówienia przed wysyłką.
4. Zamówienia nie mogą być anulowane po wysłaniu paczek.

Request Quote

Part Number
Ilość
Firma
E-mail
Komentarze

Proces zakupów

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Technologia:MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet:8-TSSOP
Seria:HEXFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs:22 mOhm @ 7A, 10V
Strata mocy (max):1.51W (Ta)
Opakowania:Tube
Package / Case:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
temperatura robocza:-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania:Surface Mount
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds:2211pF @ 25V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs:72nC @ 10V
Rodzaj FET:P-Channel
Cecha FET:-
Spust do źródła napięcia (Vdss):30V
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C:7A (Ta)


Jeśli masz niewłaściwe kompozycje, które nie są zamówione. Zbadamy, kto przyjmie odpowiedzi na ten problem.
Jeśli jest to nasze, dostarczymy odpowiednie kompozycje dla towarów wymiany po otrzymaniu błędnych komputerów odesłanych.
Jeśli jest to twoje, klient przyjmie odpowiedzi na to. W przypadku szczegółów prosimy o kontakt z naszą obsługą klienta lub sprzedaży.