SI8261BCC-C-IS

Energy Micro (Silicon Labs)
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Izolatory
SI8261BCC-C-IS.pdf

część nr SI8261BCC-C-IS Czy jest to część często używana? : Tak
Wysyłka z: magazynu HK lub Singapuru
Ten sam model może mieć wiele partii, obrazów tylko w celach informacyjnych.
Modele ECAD: skontaktuj się z nami, aby uzyskać
E-mail: sales@zeanoit.com

Request Quote

In Stock~~792 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Cena
1	$1.47
25	$1.424
100	$1.374
1000	$1.273

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - Dostawa:	13.5 V ~ 30 V
Napięcie - Izolacja:	3750Vrms
Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ):	2.8V (Max)
Technologia:	Capacitive Coupling
Dostawca urządzeń Pakiet:	8-SOIC
Seria:	Automotive, AEC-Q100
Czas narastania / spadku (typ):	5.5ns, 8.5ns
Zniekształcenia szerokości impulsu (maks.):	28ns
Opóźnienie propagacji tpLH / tpHL (maks.):	60ns, 50ns
Opakowania:	Tube
Package / Case:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura robocza:	-40°C ~ 125°C
Liczba kanałów:	1
Rodzaj mocowania:	Surface Mount
Obecny - Szczytowa wydajność:	4A
High Output, Niska - Bieżąca:	500mA, 1.2A
Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.):	30mA
Współczynnik przejściowy (min):	35kV/µs
Zatwierdzenia:	CQC, CSA, UR, VDE

Jeśli masz niewłaściwe kompozycje, które nie są zamówione. Zbadamy, kto przyjmie odpowiedzi na ten problem.

Jeśli jest to nasze, dostarczymy odpowiednie kompozycje dla towarów wymiany po otrzymaniu błędnych komputerów odesłanych.

Jeśli jest to twoje, klient przyjmie odpowiedzi na to. W przypadku szczegółów prosimy o kontakt z naszą obsługą klienta lub sprzedaży.

SI8261BCC-C-IS

Request Quote

Proces zakupów

Produkty powiązane

Zgadnij, może szukasz