NSBC123JPDP6T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor
TRANS 2NPN PREBIAS 0.339W SOT963
Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
NSBC123JPDP6T5G.pdf

Możemy dostarczyć NSBC123JPDP6T5G, skorzystaj z formularza zapytania ofertowego, aby zażądać kodu NSBC123JPDP6T5G i czasu dostawy. Zeano jest profesjonalnym dystrybutorem komponentów elektronicznych. Z ponad 3-milionowymi liniami dostępnych elementów elektronicznych można wysyłać w krótkim czasie, ponad 250 tysięcy części numerów części elektronicznych w magazynie do natychmiastowej dostawy, które mogą zawierać numer części NSBC123JPDP6T5G. Cena i czas realizacji dla NSBC123JPDP6T5G w zależności od ilości wymagane i magazyn location.contact nas i nasz przedstawiciel handlowy zapewnią ci cenę. Czekamy na współpracę z Tobą.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Minimum:1; Wielokrotności:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Specyfikacje
Opinie
Zapłata
Wysyłka 
Opakowanie

Napięcie - kolektor emiter (Max):	50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC:	250mV @ 300µA, 10mA
Typ tranzystora:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Dostawca urządzeń Pakiet:	SOT-963
Seria:	-
Opornik - Emiter bazowa (R2) (Ohm):	47k
Opornik - Baza (R1) (Ohm):	2.2k
Moc - Max:	339mW
Opakowania:	Tape & Reel (TR)
Package / Case:	SOT-963
Rodzaj mocowania:	Surface Mount
Częstotliwość - Transition:	-
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce:	80 @ 5mA, 10V
Obecny - Collector odcięcia (Max):	500nA
Obecny - Collector (Ic) (maks):	100mA